俄罗斯科学院无线电工程和电子学研究所所长尼基托夫介绍道：“如今RAM技术已经相当发达，其速度越来越快。然而仍然存在一个突出的缺点，无法克服，即低下的能源利用率。有鉴于此，我们创造了一个读写能耗降低到原来的成千上万分之一的电磁存储单元。”

他与同事们一道研制出了新型超高速可实用存储器“MELRAM”，迈出了消灭目前“垄断”世界的半导体的第一步。
科学家们发现，磁读写系统的主要问题在于，磁存储单元极难减少，因为需要非常敏感精确的传感器和磁场源。这一问题可以通过特殊材料解决，其磁性可随伸缩过程改变。这种变形可由电流引发形变的压电材料完成。
 

这种存储单元有两个主要优点。一是所携带的信息保存久远，不需要像常规内存一样不断更新。二是体积可以压缩到晶体管大小，因为MELRAM不需要外部磁场传感器。作者认为，体积的缩小不会引起性能的恶化，因此可以推断，MELRAM在计算机技术领域具有良好的发展前景。